Làm thế nào để bạn tính toán được xây dựng trong điện áp?

2024 Tác giả: Miles Stephen | [email protected]. Sửa đổi lần cuối: 2023-12-15 23:42

Các tiềm năng tích hợp (ở 300 K) bằng f_tôi = kT / q ln (10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_tôi²) = 0,77 V, sử dụng kT / q = 25,84 mV và n_tôi = 10¹⁰ cm^-3. Các tiềm năng tích hợp (ở 100 ° C) bằng f_tôi = kT / q ln (10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/n_tôi²) = 0,673 V, sử dụng kT / q = 32,14 mV và n_tôi = 8,55 x 10¹¹ cm^-3 (từ Ví dụ 20).

Do đó, điện áp tích hợp của một điểm nối pn là bao nhiêu?

Đây là một " được xây dựng -trong" VÔN tại ngã ba p-n mặt phân cách ngăn cản sự xâm nhập của các electron vào phía p và các lỗ trống vào phía n. Khi mà Vôn V là cực dương (cực "thuận") số hạng mũ tăng nhanh với V và dòng điện ở mức cao.

Ngoài ra, làm thế nào để bạn đo lường tiềm năng của rào cản? Một vôn kế thông thường có trở kháng đầu vào hữu hạn, điều đó có nghĩa đơn giản là, đo lường một hiệu điện thế ngang, phải có một số dòng điện (nhỏ) qua vôn kế. Do đó, để đo lường tích hợp sẵn tiềm năng của một diode với một vôn kế sẽ yêu cầu rằng tiềm năng "lái" một dòng điện (nhỏ) qua vôn kế.

Sau đó, những gì được xây dựng trong điện áp?

4.3. 1 Cái được xây dựng -trong tiềm năng. Các được xây dựng - điện thế trong chất bán dẫn bằng điện thế trên vùng suy giảm ở trạng thái cân bằng nhiệt. Nó cũng bằng tổng các thế năng khối lượng lớn của mỗi vùng, vì thế năng khối lượng lớn định lượng khoảng cách giữa năng lượng fermi và năng lượng nội tại.

Vùng cạn kiệt có nghĩa là gì?

Vùng nghèo hoặc lớp cạn kiệt là một khu vực trong một diode tiếp giáp P-N nơi không có mặt mang điện tích di động. Lớp cạn kiệt hoạt động giống như một rào cản chống lại dòng electron từ phía n và các lỗ trống từ phía p.